HBM4 从送样竞速进入量产爬坡竞速：SK 海力士率先交付 Rubin、美光产能翻倍、三星直逼王座
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9 月第一周，存储行业传来三组关键信号：SK 海力士面向英伟达 Vera Rubin 平台量产交付全球首款 12 层 HBM4；三星 Q2 HBM 份额飙升至 33%、直逼王座；美光宣布年底 HBM 月产能翻倍至约 10 万片晶圆。 HBM4 的竞争，已经从"谁能造出来"变成"谁能最快量产爬坡、谁绑定的客户最深"。
1. 三巨头战报：领跑者、追赶者与搅局者
| 维度 | SK 海力士 | 三星电子 | 美光 |
|---|---|---|---|
| HBM4 关键节点 | 2026 年中向 Vera Rubin 量产交付 12 层 HBM4（全球首款完整质量认证） | 2026 年 2 月全球首家大规模量产出货 | 2026 Q2 量产 12 层 HBM4，批量出货 |
| DRAM 核心裸片 | 1b（第五代 10nm 级） | 1c（第六代） | — |
| Base Die 代工 | 台积电 12nm | 自家 4nm | 拟转台积电（1γ 工艺代） |
| 2026 HBM4 份额预测 | ~54% | ~28% | ~18% |
| Q2 HBM 营收份额 | 50%（环比 -14pct） | 33%（环比 +12pct） | 18% |
| HBM 产能 | ~15–20 万片/月 | ~15–20 万片/月 | 年底冲刺 10 万片/月（现为 4–5 万） |
三个关键读数：
- 三星的反扑是真的：从去年 Q2 份额低至 15%（落后美光 6 个百分点）到今年 Q2 的 33%，三星用一年时间把与 SK 海力士的差距缩小到 17 个百分点。三星预计 HBM4 将占其下半年 HBM 收入的 60% 以上，且现有 HBM4 产能已被客户预订售罄，2026 年 HBM 总产能计划提升约 50%；
- 美光的追赶也是真的：CEO 梅赫罗特拉透露 12 层 HBM4 爬坡速度约为 HBM3E 的两倍、累计收入已超 10 亿美元；年底若如期达成 10 万片月产能，与两强的差距将缩小一半；
- SK 海力士的护城河依然深：与英伟达签署多年期 HBM/DRAM 供应协议、率先完成 2027 年 HBM4 价格谈判，在英伟达 HBM4 采购中占比约 60%（乐观情形 70%）。
2. 变局核心：封装比 DRAM 制程更值钱
HBM4 与 HBM3E 时代最大的不同，是胜负手从存储颗粒转向了封装与 Base Die：
- I/O 通道数从 1024 条翻倍至 2048 条，单颗 12 层封装吞吐超 2TB/s，能效较前代提升逾 40%；
- Base Die 首次引入晶圆代工厂先进逻辑工艺——SK 海力士用台积电 12nm，三星用自家 4nm，美光计划在 1γ（首次导入 EUV）世代转由台积电代工；
- 存储原厂与代工厂的协作深度，第一次成为决定出货速度的关键变量——这正是 Hot Chips 2026 上"三星 HBM Base Die 逻辑工艺化"议题的产业注脚。
SEMI 数据显示，2026 年全球 HBM 市场规模预计增长 58% 至 546 亿美元，约占 DRAM 市场四成。行业预计 HBM4 销售占比将在 2026 年 Q4 正式超越 HBM3E，成为市场主流。
3. 客户端信号：Rubin 加码，Rubin CPX 重生
需求端同样在 9 月出现重要变化：
- Vera Rubin 全面量产（详见本站专文）：每颗 Rubin GPU 搭载 288GB HBM4、带宽 22TB/s，NVL72 整柜 75TB 快速内存——HBM4 供给直接决定 Rubin 出货上限，这也是英伟达把"先进晶圆与 HBM 供应"列为当前第一约束的原因；
- Rubin CPX 项目重启：据 CFM 闪存市场 9 月 2 日简讯，英伟达重启此前搁置的 Rubin CPX 机柜项目，内存规格由 128GB GDDR7 改为 168GB HBM4，机架改为独立 MGX ETL 设计，客户可选 64/128/192/256 颗 GPU 配置——推理专用卡也全面转向 HBM4，进一步放大了 HBM4 需求；
- 供给协议长期化：英伟达已与 SK 海力士、美光签署多年期 HBM 及 DRAM 供应协议，锁供给、锁价格、锁产能成为巨头标配动作。
4. 下半场：HBM4E 已经鸣枪
下一代产品的竞争在 2026 年同步开启：
- SK 海力士：HBM4E 送样提前至 2026 年年中（原计划下半年），COMPUTEX 2026 已展出 12 层样品，单引脚速率最高 16Gbps、单堆栈带宽约 4TB/s，计划 2027 年量产；
- 三星：2026 年 Q2 起向头部客户交付业界首批 HBM4E 样品（48GB），目标 2027 年拿下 HBM4E 市场 50% 以上份额；
- 美光：HBM4E 预计 2027 年量产，首批样品采用 1γ 制程 DRAM。
5. 对采购方与投资观察者的启示
- 供应商组合成为第一优先级采购变量：同样买 Rubin 平台，采用哪家 HBM 供应商的整机，交付周期可能相差数月；
- 国产链条的机会窗口：HBM 供不应求叠加出口管制，长鑫等国产存储玩家的 HBM 进展值得持续跟踪——国产 AI 芯片（昇腾 950 系列等）对 HBM 的需求同样在放量；
- 跟踪三个领先指标：头部云厂商 Rubin 机架采购量、HBM 设备供应商订单（美光已加大 PO）、HBM4E 送样→量产的时间差。
相关链接
参考资料
- Electronic Times：US Micron to Double HBM Capacity, Closing Gap with Samsung and SK（2026-09-04）
- Korea Herald / News18：Samsung narrows SK hynix HBM lead as HBM4 shipments accelerate（2026-09-04）
- CFM 闪存市场：HBM4 量产爬坡竞速与 Rubin CPX 重启简讯（2026-09-02/04）
- 快科技：美光吹响反击号角！HBM4 产能翻倍直追三星海力士（2026-09-04）
本文基于 2026 年 9 月初 Counterpoint Research、CFM 闪存市场及韩媒报道整理。份额与产能数据均为研究机构/供应链预估口径，实际以各原厂财报为准。